辊道窑用碳化硅辊棒及其制造方法，它是由绿碳化硅微粉、碳墨，石墨粉、高度粘接剂混合制成，在1700度高温中渗金属硅生成，可浇注、挤出、机压成型。

利用碳化硅单晶衬底和外延材料制作的电力电子器件可以在高电压、大电流、高频率环境下工作“与传统的硅器件相比，碳化硅电力芯片能够大幅度减少电力设备体积和重量，能大幅降低各项设备系统的整体成本并提高系统的可靠性”。

数据表明，属于“宽禁带”的第三代半导体的碳化硅，大功率在降低自身功耗的同时，提高系统其他部件的功效，可节能20%至90%。

中国电器工业协会电力电子分会常务副理事长肖向锋指出，这一成果对于煤炭、石油等资源越发紧缺的中国具有现实意义。

“为应对能源危机，国家提出节能减排，电能的输送、分配都离不开电力电子技术”，肖向锋解释说，现有的电子技术基于半导体硅材料器件，但受制于硅材料的物理性能，器件功耗大。碳化硅器件的研发、生产无疑可解“燃眉之急”。

辊道窑用碳化硅辊棒及其制造方法，它是由绿碳化硅微粉、碳墨，石墨粉、高度粘接剂混合制成，在1700度高温中渗金属硅生成，可浇注、挤出、机压成型。